Dopo aver affrontato grandi difficoltà nello sviluppo della tecnologia, TSMC è finalmente pronta ad avviare la produzione di massa di chip con il processo produttivo a 3 nanometri. Secondo le informazioni divulgate dai media taiwanesi domenica 25 dicembre, Wei Zhejia, presidente dell’azienda, invita i partner a una cerimonia di inaugurazione.

Il dirigente ha dichiarato che la produzione di massa di wafer a 3 nanometri inizierà il 29 dicembre, rispettando la promessa del produttore di dare il via alla tecnologia entro la fine dell’anno. L’annuncio arriva in ritardo, visto che le prime previsioni davano l’inizio della produzione tra settembre e ottobre 2022.

Sebbene la tecnologia impiegata per costruire wafer con questo processo produttivo presenti “difficoltà inenarrabili”, Zhejia riferisce che i risultati dei transistor a 3 nanometri di TSMC sono “in linea con le aspettative”.

A differenza di Samsung, che ha già avviato la produzione di chip a 3 nanometri con la nuova architettura Gate-All-Around (GAA), TSMC ha scelto di rimanere con FinFET perché è pratica, stabile e ideale per le attuali richieste del mercato.

Allo stesso modo, gli esperti ritengono che la capacità produttiva di TSMC sia ancora inferiore alla domanda dei suoi grandi clienti, tra cui Apple, che sta pagando un prezzo elevato per garantire la produzione dell’A17 Bionic, processore che dovrebbe essere utilizzato nell’iPhone 15 Pro e nell’iPhone 15 Ultra, oltre che nell’M2 Pro per i nuovi modelli di MacBook Pro.

Non è ancora chiaro se Qualcomm intenda continuare a collaborare con TSMC per la produzione dello Snapdragon 8 Gen 3 nel 2023, dato che precedenti indiscrezioni indicano che l’americana lavorerà nuovamente con Samsung. Finora MediaTek non ha dato alcuna indicazione di voler sostituire la fonderia che garantisce le elevate prestazioni del Dimensity 9200.

La Nanke Wafer Facility 18, situata nel Tainan Science Park, è la fabbrica scelta per la produzione dei chip a 3 nanometri. TSMC ha effettuato un investimento di 120 miliardi di dollari per costruire nuovi impianti che dovrebbero ampliare la sua capacità di fornitura.

Oltre a N3 – il nome ufficiale del processo di produzione a 3 nanometri di TSMC – la fonderia taiwanese spera di introdurre N3E, la sua prima ottimizzazione più efficiente, nella seconda metà del 2023. C’è anche l’N3P, che sarà prodotto per tutto il 2024 prima della creazione di wafer con transistor a soli 2 nanometri nel 2025.

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