Samsung ha annunciato la produzione di massa della sua DRAM DDR5 da 16 Gb con tecnologia a 12nm e ossigeno estremo, promettendo maggiore potenza e risparmio energetico.
Samsung ha recentemente annunciato di aver avviato la produzione di massa della sua DRAM DDR5 da 16 gigabit (Gb), utilizzando la pionieristica tecnologia di processo a 12 nanometri (nm) del settore. Questo risultato arriva dopo l’annuncio iniziale fatto a dicembre dell’anno precedente.
Il processo di produzione incorpora il processo produttivo avanzato multistrato a ultravioletti estremi (EUV), stabilendo la più alta densità di die del settore. Di conseguenza, questa tecnologia consente di aumentare del 20% la produttività dei wafer.
Inoltre, questa DRAM DDR5 presenta una notevole riduzione del consumo energetico, fino al 23% rispetto alle generazioni precedenti. Samsung afferma che questa soluzione è particolarmente adatta alle aziende IT globali che desiderano migliorare le loro operazioni eco-compatibili.
L’utilizzo di un nuovo materiale ad alta densità contribuisce ad aumentare la capacità delle celle. L’aumento della capacità si traduce in una significativa differenza di potenziale elettrico nei segnali di dati, facilitando una più accurata differenziazione tra di questi.
La DRAM DDR5 dichiara una velocità di 7,2 gigabit al secondo (Gbps). Per intenderci, è in grado di elaborare due filmati ad altissima definizione da 30 gigabyte (GB) in un solo secondo. Questa velocità eccezionale rende la tecnologia in grado di supportare una gamma sempre più ampia di applicazioni, tra cui i data center, l’intelligenza artificiale e l’informatica di nuova generazione.
Lo scorso dicembre, Samsung ha completato la valutazione della sua DRAM DDR5 a 16 gigabit per verificare la compatibilità con AMD, dimostrando il suo impegno per l’innovazione e la leadership nel mercato delle DRAM di prossima generazione. Continua a collaborare con aziende IT globali per promuovere l’adozione di tecnologie all’avanguardia e sostenere la crescita di questo importante ecosistema.