Nell’ultimo briefing con gli investitori Samsung ha rivelato che il suo processo a 3 nm inizierà la produzione nelle prossime settimane. Se ciò dovesse realmente accadere anticiperebbe TSMC, che prevede che il 3 nm con architettura FinFET entrerà in produzione di massa nella seconda metà dell’anno.
Gli analisti del settore ritengono che, sebbene Samsung affermi che il 3 nm entrerà a breve nella produzione di massa, dal punto di vista della densità e delle prestazioni dei transistor, il 3 nm di Samsung è paragonabile al 5 nm di TSMC e al processo Intel 4 nm di Intel.
Samsung ha informato gli investitori che si sta preparando a mettere in produzione il processo a 3 nm basato su GAA nella prima metà di quest’anno, dunque inizierà il processo di produzione di massa nelle prossime otto settimane. L’azienda afferma che rispetto al suo attuale processo di architettura FinFET a 7 nm, i nuovi chip di processo a 3 nm possono funzionare in un ambiente a bassa tensione inferiore a 0,75 volt. Ciò ridurrà il consumo energetico complessivo del 50%, migliorerà le prestazioni del 30% e ridurrà le dimensioni del chip del 45%.
Sebbene il processo a 3 nm di Samsung sia paragonabile al processo a 4 nm di TSMC, la larghezza di banda e il controllo del primo saranno migliori traducendosi anche in prestazioni migliori.
Tuttavia, la variabile più grande che non può essere nota al momento è quanto può essere buona la resa del processo a 3 nm di Samsung. Il processo a 4 nm di Samsung ha un tasso di rendimento davvero basso e questo sta portando i principali clienti a passare a TSMC.
Nel settore si ritiene che produttori come Apple, AMD, NVIDIA, Qualcomm, Intel e MediaTek saranno i principali clienti di TSMC nella fase iniziale della produzione di massa a 3 nm. Dal canto suo TSMC afferma anche che, dopo la produzione di massa a 3 nm nella seconda metà di quest’anno, sarà leader nella tecnologia PPA (prestazioni, consumo energetico e area) e transistor; avrà anche un buon tasso di rendimento. È sicura che 3 nm continuerà a conquistare la fiducia dei clienti.
Infine, TSMC ha anche intrapreso un layout a 2 nm più avanzato per il quale è previsto che inizi la produzione di prove di rischio nel 2024 e la produzione di massa nel 2025.
