Samsung ha annunciato la DRAM HBM3E 12H da 36 GB, la memoria HBM con la più alta capacità e prestazioni mai raggiunte. Con un aumento del 50% rispetto alla HBM3 8H, la nuova DRAM è ideale per l’IA e i data center.
Samsung ha raggiunto un importante traguardo nel settore delle memorie con l’introduzione della DRAM HBM3E 12H da 36 GB, stabilendo un nuovo record per la capacità di memoria HBM (High Bandwidth Memory) grazie al suo innovativo stack a 12 strati.
La HBM3E 12H rappresenta il vertice della tecnologia DRAM di Samsung, essendo la prima memoria HBM3E a 12 stack e al tempo stesso la DRAM con la più alta capacità HBM mai realizzata fino ad oggi. Con una larghezza di banda mozzafiato di 1.280 GB/s e una capacità di 36 GB, questa nuova memoria supera di gran lunga i suoi predecessori, offrendo una velocità di banda e una capacità maggiorate del 50% rispetto alla versione HBM3 8H.
Per rispettare i requisiti di pacchetto HBM attuali, Samsung ha implementato una avanzata pellicola non conduttiva a compressione termica nell’HBM3E, garantendo il mantenimento della stessa altezza dell’HBM3 8H nonostante l’aumento delle prestazioni. Un notevole sforzo di ingegnerizzazione ha permesso di ridurre lo spessore dei materiali NCF, raggiungendo uno spazio minimo di soli sette micrometri tra i chip. Queste innovazioni eliminano i vuoti tra gli strati e incrementano la densità verticale di oltre il 20%, migliorando le proprietà termiche e, di conseguenza, la stabilità delle prestazioni.
In un contesto dove l’applicazione dell’intelligenza artificiale (IA) e dei relativi servizi sta crescendo a ritmi esponenziali, l’HBM3E 12H di Samsung emerge come una soluzione di preminente importanza. Sostituendo la precedente HBM3 8H, si prevede un aumento medio del 34% nella velocità di addestramento dell’IA, oltre a un’espansione dei servizi di inferenza simultanei di oltre 11,5 volte.
I campioni dell’HBM3E 12H sono già stati distribuiti ai clienti di Samsung, con la produzione di serie prevista per la prima metà del 2024.
