Samsung si è imposta su TSMC e ha annunciato la produzione di massa di chip GAA a 3 nm, con una serie di vantaggi per diverse applicazioni e prodotti. Secondo il produttore coreano, la tecnologia GAA supera i limiti di FinFET e ha in programma di espandere la produzione per i SoC degli smartphone.
Il Dr. Siyoung Choi, Presidente e Responsabile del Foundry Business di Samsung Electronics, è orgoglioso di annunciare la nuova architettura con la seguente dichiarazione.
“Samsung è cresciuta rapidamente grazie alla sua leadership nell’applicazione di tecnologie di nuova generazione alla produzione, come il primo High-K Metal Gate del settore, il FinFET e l’EUV. Cerchiamo di continuare questa leadership con il primo processo a 3 nm al mondo con l’MBCFET. Continueremo a innovare attivamente nello sviluppo di tecnologie competitive e a costruire processi che contribuiscano ad accelerare il raggiungimento della maturità tecnologica”.
Per produrre in massa i chip GAA a 3 nm, Samsung ha utilizzato un metodo diverso, che prevede l’impiego di una tecnologia proprietaria e di nanosheet con canali più ampi. Questo approccio consente prestazioni più elevate e una migliore efficienza energetica rispetto alle tecnologie GAA che utilizzano nanofili con canali più stretti. GAA ha ottimizzato la flessibilità di progettazione, consentendo a Samsung di ottenere vantaggi PPA (Power, Performance, and Area).
Facendo un confronto con il processo a 5 nm, Samsung sostiene che la tecnologia GAA a 3 nm può ridurre il consumo di energia fino al 45%, migliorare le prestazioni del 23% e ridurre l’area del 16%. È interessante notare che Samsung non ha menzionato le differenze di miglioramento rispetto al suo processo a 4 nm, anche se il comunicato stampa afferma che si sta lavorando a un processo di produzione GAA a 3 nm di seconda generazione.
Questo processo di seconda generazione consentirà di ridurre il consumo energetico fino al 50%, di aumentare le prestazioni del 30% e di ridurre l’area del 35%. Samsung non ha commentato la percentuale di resa del processo GAA a 3 nm, ma secondo quanto abbiamo riportato in precedenza, le cose non sono migliorate, anzi sono precipitate. A quanto pare, il tasso di rendimento è compreso tra il 10% e il 20%, mentre quello dei 4 nm di Samsung si è attestato al 35%.
Qualcomm avrebbe prenotato il nodo GAA a 3 nm di Samsung, nell’ipotesi che TSMC abbia problemi di resa per il suo processo a 3 nm. Il produttore coreano probabilmente fornirà a Qualcomm delle prove personali della sua tecnologia all’avanguardia e se quest’ultima sarà soddisfatta, potremmo assistere al passaggio degli ordini da TSMC a Samsung per i futuri chipset Snapdragon.
Per quanto riguarda TSMC, si prevede che inizierà la produzione di massa di chip a 3 nm nel corso dell’anno, con Apple che probabilmente otterrà un trattamento preferenziale per i suoi prossimi SoC M2 Pro e M2 Max destinati a un’ampia gamma di Mac. Si spera che Samsung abbia migliorato in modo significativo la propria iterazione per riavviare le vecchie collaborazioni.
