Samsung illustrerà la tecnologia dei processi produttivi dei chip a 3nm e 4nm con prestazioni migliorate durante il VLSI Symposium 2023 che si terrà a giugno.
Samsung presenterà i suoi processi di produzione di chip a 3nm e 4nm al VLSI Symposium 2023 che si terrà dall’11 al 16 giugno 2023 a Kyoto, in Giappone. Durante l’evento dedicato all’industria dei chip, il produttore sudcoreano illustrerà i suoi processi a 3nm di seconda generazione e a 4nm di quarta generazione.
Il processo a 4 nm dell’azienda, utilizzato per realizzare i chipset Exynos 2200 e Snapdragon 8 Gen 1, è stato criticato in quanto non era efficiente come il processo a 4 nm di TSMC, utilizzato per realizzare i chip A16 di Apple, lo Snapdragon 8 Gen 2, il Dimensity 9000 e le GPU della serie RTX 4000 di NVIDIA.
I chip prodotti con i processi SF3 (3nm GAP) e SF4X (4nm EUV) di Samsung Foundry offriranno prestazioni ed efficienza energetica migliori. Questa nuova tecnologia inoltre dovrebbe ridurre significativamente la temperatura dei componenti rispetto alle generazioni precedenti.
Il processo SF3 utilizzerà la tecnologia GAP a 3 nm, successore del processo SF3E annunciato dall’azienda nel secondo semestre dello scorso anno. Sembra che le prestazioni dovrebbero ricevere un miglioramento del 22% a parità di clock, mentre l’efficienza energetica dovrebbe migliorare fino al 34% rispetto a SF4 (4nm EUV LPP).
Sebbene il produttore non abbia confermato le indiscrezioni, si prevede che questa nuova tecnologia sarà implementata nei chipset Exynos 2500 e Snapdragon 8 Gen 4, per i quali non vi è ancora una previsione di rilascio.
Il nodo di quarta generazione avrà il nome di SF4X e sarà dedicato soprattutto ai chip HPC (High Performance Computing), ovvero alle CPU e alle GPU utilizzate principalmente nell’ambito dei server e dei data center. Si prevede un aumento delle prestazioni del 10% e una diminuzione del consumo energetico del 23% rispetto al nodo SF4 di seconda generazione.
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