Samsung progetta lo standard di memorie GDDR7 con velocità di 36 Gbps e V-NAND a 1.000 strati entro il 2030.
Samsung ha presentato le nuove tecnologie hardware durante il Tech Day 2022, un evento che funge da palcoscenico per rivelare le innovazioni che colpiranno il mercato nei prossimi anni, Nel talk di questo giovedì 06 ottobre, il brand sudcoreano ha confermato lo sviluppo della prossima generazione di memorie per applicazioni grafiche, le GDDR7.
Con una velocità promessa di 36 Gbps, il 50% più veloce della GDDR6X, questo standard avrà la potenza necessaria per alimentare nuove applicazioni e richieste nei data center, nell’elaborazione ad alte prestazioni (HPC), nei giochi e nei casi d’uso automobilistici.
GDDR7 avrà una larghezza di banda da record per il segmento, poiché potrebbe utilizzare un bus a 384 bit per raggiungere 1,7 TB/s, un guadagno significativo per il trasferimento di dati tra una GPU e una CPU. Attualmente, la GDDR6X fatica a superare la soglia di 1 TB/s sulle schede grafiche commerciali come la GeForce RTX 4090 .
Un altro miglioramento su cui sta lavorando Samsung è l’aumento della densità delle sue attuali memorie DDR5. Il produttore prevede di introdurre moduli da 32 Gb, il 33% più densi delle sue soluzioni da 24 Gb, consentendo a ciascun die di offrire una capacità fino a 64 GB. I pettini con una capacità di 1 TB sono già in fase di sviluppo nella divisione “Elettronica”.
Sempre parlando di memoria ad accesso casuale, Samsung prevede di introdurre la RAM LPDDR5X con una velocità di 8,5 Gbps, garantendo che smartphone, tablet, notebook e altri dispositivi che richiedono un basso consumo energetico abbiano maggiori prestazioni nel multitasking e nell’esecuzione di applicazioni che richiedono il massimo dell’hardware.
Infine e altrettanto importante, il gigante asiatico ha parlato di memoria V-NAND con oltre 1.000 strati. Sebbene i chip esistenti abbiano 236 strati, il produttore prevede di introdurre una tecnologia che faccia spazio a dispositivi di archiviazione sempre più compatti con capacità ancora maggiori.
Samsung prevede di introdurre i suoi primi chip V-NAND con 1 TLC (Triple Level Cells, 3 bits per cell) nel 2022. Una delle versioni più recenti del marchio è l’SSD 990 Pro, che utilizza la memoria V-NAND con MLC ( 2 bit per cella) nelle versioni da 1 TB e 2 TB con prezzi a partire da US$ 179.
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