Innosilicon raggiunge velocità di memoria DRAM LPDDR5X di 10.000 Mbps, il 17% in più rispetto alle specifiche ufficiali JEDEC di 8533 Mbps.
Innosilicon ha presentato questo giovedì 23 giugno, dati riferiti ai test prestazionali effettuati di recente dal produttore asiatico sulla sua memoria DRAM LPDDR5X, un componente che porta tecnologia all’avanguardia raggiungendo velocità di trasferimento stabili e prestazioni superiori ai modelli sviluppati da altri OEM di hardware.
Secondo il rapporto, l’azienda ha ottenuto risultati migliori rispetto a JEDEC, una società nordamericana che opera anche nel segmento dei semiconduttori come uno dei principali concorrenti di Innosilicon con una velocità di 8533 Mbps nello standard LPDDR5X.
Nel caso di Innosilicon, la performance ottenuta utilizzando lo stesso standard del rivale è stata di 10.000 Mbps contro gli 8533 di JEDEC, un aumento del 56% rispetto a LPDDR5-6400 e del 17% rispetto agli standard LPDDR5X-8533, oltre a una riduzione di 15% di latenza nell’elaborazione dei dati.
Queste elevate prestazioni dovrebbero essere sfruttate in particolare dai mercati che utilizzano più dispositivi interconnessi che richiedono poco ritardo nello scambio di informazioni, come i segmenti delle telecomunicazioni, automobilistico, industriale e dell’Internet delle cose (IoT).
- Innosilicon LPDDR5X: 10.000 Mbps (larghezza di banda 80 GB/s);
- JEDEC LPDDR5X: 8.533 Mbps (68,2 GB/s di larghezza di banda);
- JEDEC LPDDR5: 6400 Mbps (larghezza di banda 51,2 GB/s).
Il componente non ha ancora una data di rilascio, tuttavia, la divulgazione dei risultati rafforza il fatto che la società si sta dirigendo verso l’evento di annuncio.
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